GT110N06S
零件编号：
GT110N06S
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1300 pF @ 25 V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 60 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 14A (Tc)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 24 nC @ 10 V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 10V
- 供应商器件封装 8-SOP
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.4V @ 250µA
- 最大功耗 3W (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 11mOhm @ 14A, 10V