IRF8113GPBF
零件编号：
IRF8113GPBF
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
International Rectifier
描述：
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 供应商器件封装 8-SO
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 10V
- 最大功耗 2.5W (Ta)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.2V @ 250µA
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 17.2A (Ta)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 36 nC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2910 pF @ 15 V