IXSJ25N120R1
零件编号：
IXSJ25N120R1
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
IXYS
描述：
1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 封装 / 外壳 TO-247-3
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 28A (Tc)
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200 V
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 18V
- 最大栅源电压 +21V, -4V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 81mOhm @ 12A, 18V
- 供应商器件封装 ISO247-3L
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.8V @ 5.3mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 52 nC @ 18 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1435 pF @ 800 V
- 最大功耗 75.3W (Tc)