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EPC2007C
零件编号：
EPC2007C
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
EPC
描述：
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 11930
最小 : 1
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单价
价格
1
3.08
3.08
10
2
20
100
1.38
138
500
1.16
580
规格
  • 零件状态
    Not For New Designs
  • 等级
    -
  • 认证
    -
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    Die
  • 供应商器件封装
    Die
  • 场效应晶体管类型
    N-Channel
  • 技术
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    100 V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    6A (Ta)
  • 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
    5V
  • 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    30mOhm @ 6A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    2.5V @ 1.2mA
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    2.2 nC @ 5 V
  • 最大栅源电压
    +6V, -4V
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    220 pF @ 50 V
  • 最大功耗
    -
  • 场效应晶体管特性
    -
  • 18098902467

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