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EPC2014
零件编号:
EPC2014
产品分类:
制造商:
描述:
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
包装:
Tape & Reel (TR)
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
PDF:
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规格
  • 零件状态
    Discontinued at
  • 等级
    -
  • 认证
    -
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    Die
  • 供应商器件封装
    Die
  • 场效应晶体管类型
    N-Channel
  • 技术
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    40 V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
    5V
  • 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
    16mOhm @ 5A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
    2.5V @ 2mA
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    2.8 nC @ 5 V
  • 最大栅源电压
    +6V, -5V
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    325 pF @ 20 V
  • 最大功耗
    -
  • 场效应晶体管特性
    -