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FF06100J-7
零件编号：
FF06100J-7
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
fastSiC
描述：
SICFET N-CH 650V 20.6A TO-263-7L
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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单价
价格
1
9.07
9.07
10
3.32
33.2
100
3.1
310
4000
3.02
12080
规格
  • 零件状态
    Active
  • 等级
    -
  • 认证
    -
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • 供应商器件封装
    D2PAK-7L
  • 场效应晶体管类型
    N-Channel
  • 技术
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    650 V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    20.6A (Tc)
  • 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
    18V
  • 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    100mOhm @ 10A, 18V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    2.2V @ 14mA
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    43 nC @ 15 V
  • 最大栅源电压
    18V
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    1000 pF @ 400 V
  • 最大功耗
    83W (Tc)
  • 场效应晶体管特性
    -
  • 18098902467

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