收藏 比较
G3R40MT12D
零件编号:
G3R40MT12D
产品分类:
描述:
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
包装:
Tube
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
PDF:
立即购买 添加到购物车
库存 3644
最小 : 1
数量
单价
价格
1
17.42
17.42
10
15.9
159
25
15.33
383.25
100
14.52
1452
250
14
3500
500
13.62
6810
规格
  • 零件状态
    Active
  • 等级
    -
  • 认证
    -
  • 安装类型
    Through Hole
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-247-3
  • 供应商器件封装
    TO-247-3
  • 场效应晶体管类型
    N-Channel
  • 技术
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    1200 V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    71A (Tc)
  • 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
    15V
  • 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
    48mOhm @ 35A, 15V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
    2.69V @ 10mA
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
    106 nC @ 15 V
  • 最大栅源电压
    ±15V
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    2929 pF @ 800 V
  • 最大功耗
    333W (Tc)
  • 场效应晶体管特性
    -