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GA10SICP12-263
零件编号：
GA10SICP12-263
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
GeneSiC Semiconductor
描述：
TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF:
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库存 1600
最小 : 500
数量
单价
价格
500
24.44
12220
规格
  • 零件状态
    Active
  • 等级
    -
  • 认证
    -
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳
    TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • 供应商器件封装
    TO-263-7
  • 场效应晶体管类型
    -
  • 技术
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 漏极至源极电压 (Vdss)
    1200 V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
    25A (Tc)
  • 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
    -
  • 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
    100mOhm @ 10A
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
    -
  • 最大栅源电压
    -
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
    1403 pF @ 800 V
  • 最大功耗
    170W (Tc)
  • 场效应晶体管特性
    -
  • 18098902467

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